英諾賽科成立于(yu)2015年12月(yue)，是一家(jia)致力(li)于(yu)第三代半導體(ti)硅基(ji)氮(dan)化(hua)鎵(jia)研發與產(chan)(chan)業化(hua)的(de)高新技(ji)術企業。公(gong)司采用IDM全(quan)產(chan)(chan)業鏈模式，集(ji)芯片設計、外延生長、芯片制造、測(ce)試與失效分(fen)析于(yu)一體(ti)，擁(yong)有全(quan)球最大的(de)8英寸硅基(ji)氮(dan)化(hua)鎵(jia)晶圓的(de)生產(chan)(chan)能力(li)。公(gong)司的(de)主要產(chan)(chan)品涵(han)蓋從低壓(ya)到高壓(ya)（30V-700V）的(de)氮(dan)化(hua)鎵(jia)功率(lv)器(qi)件(jian)，產(chan)(chan)品設計及性能均達(da)到國(guo)際先進水平。 

    英諾(nuo)賽(sai)科已在激光雷(lei)達、數(shu)據(ju)中心、5G通訊、高密度(du)(du)高效快速充(chong)(chong)電、無線充(chong)(chong)電、車(che)載充(chong)(chong)電器、LED 燈照明驅動等(deng)方(fang)面(mian)發布產品方(fang)案，并(bing)與(yu)國內(nei)多(duo)家應用頭部企業開展深(shen)度(du)(du)合作，實現(xian)(xian)量產。英諾(nuo)賽(sai)科作為技(ji)術全球領(ling)先的第三(san)代半(ban)導體(ti)公司，在8英寸(cun)硅基氮化(hua)鎵核心技(ji)術和關鍵工(gong)藝領(ling)域已實現(xian)(xian)重大突(tu)破(po)，建立了高功(gong)率(lv)密度(du)(du)、高效率(lv)、高增(zeng)益、低成本的硅基氮化(hua)鎵量產平臺，實現(xian)(xian)了中國第三(san)代半(ban)導體(ti)零的突(tu)破(po)。